Substrato de PMN-PT Crystal Semiconductor Wafer Single Crystal

Name: Substrato de PMN-PT Crystal Semiconductor Wafer Single Crystal
Brand: Kinheng
SKU: Kinheng
Price: 1.00 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (110 reviews)

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Certificación

China Kinheng Crystal Material (Shanghai) Co., Ltd. certificaciones

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Substrato de PMN-PT Crystal Semiconductor Wafer Single Crystal

Ampliación de imagen : Substrato de PMN-PT Crystal Semiconductor Wafer Single Crystal

Datos del producto:

Lugar de origen:	China
Nombre de la marca:	Kinheng
Certificación:	ISO

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima:	1pc
Precio:	Negotiable
Detalles de empaquetado:	caja de la espuma
Tiempo de entrega:	4-6 semanas
Condiciones de pago:	T/T, Paypal
Capacidad de la fuente:	10000pcs/year

Contacto

Substrato de PMN-PT Crystal Semiconductor Wafer Single Crystal

descripción

Estructura:	R3m, romboédrico	enrejado:	a0 ~ 4.024Å
Punto de fusión (℃):	1280	Densidad (g/cm3):	8.1
Coeficiente piezoeléctrico d33:	>2000 pC/N	Pérdida dieléctrica:	bronceado d <0.9
Composición química:	(PbMg 0,33 Nb 0,67)1-x: (PbTiO3)x	Composición:	cerca del límite de la fase morfotrópica
Alta luz:	Oblea de semiconductor de PMN-PT , Solo substrato cristalino de R3m , Oblea de semiconductor de Kinheng

Alto solo substrato cristalino de acoplamiento electromecánico del coeficiente PMN-PT

El cristal de PMN-PT se sabe para su coeficiente de acoplamiento electromecánico extremadamente alto, el alto coeficiente piezoeléctrico, la alta tensión y la pérdida dieléctrica baja.

Propiedades:

Composición química	(PbMg 0,33 NOTA 0,67) 1-x: (PbTiO3) x
Estructura	R3m, romboédrico
Enrejado	a0 ~ 4.024Å
Punto de fusión (℃)	1280
Densidad (g/cm3)	8,1
Coeficiente piezoeléctrico d33	>2000 pC/N
Pérdida dieléctrica	broncee d <0>
Composición	cerca del límite morphotropic de la fase

Ventaja:

suavidad 1.High
el hacer juego de enrejado 2.High (MCT)
densidad de dislocación 3.Low
transmitencia infrarroja 4.High

Tiros del producto:

Substrato de PMN-PT Crystal Semiconductor Wafer Single Crystal 0

FAQ:

1.Q: ¿Es usted fabricante de la fábrica?

: Sí, somos fabricante con 13 años de experiencia en la industria cristalina del scintillator y suministramos muchas marcas famosas buena calidad y servicio.

2.Q: ¿Dónde está su mercado principal?

: Europa, América, Asia.

etiqueta:

Persona de Contacto: Ivan. wang

Teléfono: 18964119345

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Cristal: CdZnTe CZT

Tipo de la conductividad: Tipo de P

Orientación: (211), (111)

Resistividad: >106Ω.Cm

Alto substrato infrarrojo solo Crystal Substrate del GaAs de la transmitencia

Opción dopada: Ningunos, Si, Cr, FE, Zn

Tamaños (milímetros): 10x10m m

Aspereza superficial: Aspereza superficial (Ra): <= 5A

Polaco: Lado simple o doble pulido (el estándar es el SSP)

Infrarrojo de la oblea de semiconductor de GE del substrato de GE e industria de IC

Método del crecimiento: Método de Czochralski

Estructura cristalina: M3

Constante de célula de unidad: a=5.65754 Å

Densidad (g/cm3): 5,323

Substrato termal excelente de la oblea del carburo de silicio de las propiedades mecánicas sic

Artículo: 2 N-tipo de la pulgada 4H

diámetro: 2inch (50.8m m)

Grueso: 350+/-25um

Orientación: del eje 4.0˚ hacia el ± 0.5˚ de <1120>

Sic eficacia fuerte de la velocidad rápida de la oblea de semiconductor pequeña gran rentable

Nombre de producto: Sic substrato, sic oblea de semiconductor

Nombre completo: Carburo de silicio Crystal Substrate

fórmula química: Sic

Grado 1: Grado de la producción

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