Detección industrial planar de la radiación del espacio del NDT del detector de semiconductor de CZT

Name: Detección industrial planar de la radiación del espacio del NDT del detector de semiconductor de CZT
Brand: Kinheng
SKU: Kinheng
Price: 1.00 USD
Availability: InStock
Rating: 4.5 (154 reviews)

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Espectro y seguridad alimentaria de energía que detectan la punta de prueba de la oblea de semiconductor CZT

Certificación

China Kinheng Crystal Material (Shanghai) Co., Ltd. certificaciones

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Detección industrial planar de la radiación del espacio del NDT del detector de semiconductor de CZT

Ampliación de imagen : Detección industrial planar de la radiación del espacio del NDT del detector de semiconductor de CZT

Datos del producto:

Lugar de origen:	China
Nombre de la marca:	Kinheng
Certificación:	ISO

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima:	1pc
Precio:	Negotiable
Detalles de empaquetado:	caja de la espuma
Tiempo de entrega:	4-6 semanas
Condiciones de pago:	T/T, Paypal
Capacidad de la fuente:	10000pcs/year

Contacto

Detección industrial planar de la radiación del espacio del NDT del detector de semiconductor de CZT

descripción

Nombre de producto:	Punta de prueba de CZT	Material:	CdZnTe
Densidad:	5,8 g/cm3	Dimensión:	5,0 × (±0.1) 5,0 (±0.1) mm2/10,0 (±0.1) ×1 0,0 (±0.1) mm2
Grueso:	2,0 (±0.1) milímetros	Material del electrodo:	Au
Gama de la energía:	0℃~+40℃ (estándar); Gama de la energía de -20℃~+40℃ (modificado para requisitos particulares) 10KeV	Resolución de energía (22 ℃):	<7>
Alta luz:	detector de semiconductor 5.8g/cm3 , Kinheng CZT planar , Detector de semiconductor del ISO

Detector de semiconductor planar industrial de la detección CZT de la radiación del espacio del NDT

El detector DT-P01 es un detector planar basado en cristal del telururo del cinc del cadmio (CZT). Tiene radiografía y funciones de detección de poca energía del rayo gamma y una resolución de alta energía. Se utiliza en los campos de la seguridad de patria, de la ciencia nuclear y de la tecnología, etc…. Puede ser diseñado en una variedad de tamaños, de formas y de especificaciones según las exigencias del consumidor.

Propiedades:

Material	CdZnTe
Densidad	5.8g/cm3
Resistencia de volumen	>1010 Ω.cm
Dimensión	5,0 × (±0.1) 5,0 (±0.1) milímetro²/10,0 (±0.1) ×1 0,0 (±0.1) milímetro²
Grueso	2,0 (±0.1) milímetros
Material del electrodo	Au
Temperatura de funcionamiento	0℃~+40℃ (estándar); -20℃~+40℃ (modificado para requisitos particulares)
Gama de la energía	10KeV~150KeV para la medida del espectro 30KeV~1.5MeV para la medida de la dosificación
Resolución de energía (22℃)	<7>
Temperatura del almacenamiento (transporte)	10℃~40℃
Humedad del almacenamiento (transporte)	el 20%~80% (sin condensación)
Observaciones	Específico está disponible.

Ventaja:

Funcionamiento de la temperatura ambiente

Resolución de alta energía

Respuesta rápida

Estabilidad de largo tiempo

Usos:

Seguridad de patria

Detección de la radiación del espacio

Ciencia y tecnología nucleares

Supervisión del ambiente

NDT industrial

Espectro:

Detección industrial planar de la radiación del espacio del NDT del detector de semiconductor de CZT 0

Tiros del producto:

Detección industrial planar de la radiación del espacio del NDT del detector de semiconductor de CZT 1

FAQ:

1.Q: ¿Es usted fabricante de la fábrica?

: Sí, somos fabricante con 13 años de experiencia en la industria cristalina del scintillator y suministramos muchas marcas famosas buena calidad y servicio.

2.Q: ¿Dónde está su mercado principal?

: Europa, América, Asia.

etiqueta:

Persona de Contacto: Ivan. wang

Teléfono: 18964119345

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Tipo de la conductividad: Tipo de P

Orientación: (211), (111)

Resistividad: >106Ω.Cm

Alto substrato infrarrojo solo Crystal Substrate del GaAs de la transmitencia

Opción dopada: Ningunos, Si, Cr, FE, Zn

Tamaños (milímetros): 10x10m m

Aspereza superficial: Aspereza superficial (Ra): <= 5A

Polaco: Lado simple o doble pulido (el estándar es el SSP)

Infrarrojo de la oblea de semiconductor de GE del substrato de GE e industria de IC

Método del crecimiento: Método de Czochralski

Estructura cristalina: M3

Constante de célula de unidad: a=5.65754 Å

Densidad (g/cm3): 5,323

Substrato termal excelente de la oblea del carburo de silicio de las propiedades mecánicas sic

Artículo: 2 N-tipo de la pulgada 4H

diámetro: 2inch (50.8m m)

Grueso: 350+/-25um

Orientación: del eje 4.0˚ hacia el ± 0.5˚ de <1120>

Sic eficacia fuerte de la velocidad rápida de la oblea de semiconductor pequeña gran rentable

Nombre de producto: Sic substrato, sic oblea de semiconductor

Nombre completo: Carburo de silicio Crystal Substrate

fórmula química: Sic

Grado 1: Grado de la producción

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