Ciencia nuclear y detector de semiconductor de la punta de prueba CZT de la tecnología CZT α-Ray

Name: Ciencia nuclear y detector de semiconductor de la punta de prueba CZT de la tecnología CZT α-Ray
Brand: Kinheng
SKU: Kinheng
Price: 1.00 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (185 reviews)

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Espectro y seguridad alimentaria de energía que detectan la punta de prueba de la oblea de semiconductor CZT

Certificación

China Kinheng Crystal Material (Shanghai) Co., Ltd. certificaciones

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Ciencia nuclear y detector de semiconductor de la punta de prueba CZT de la tecnología CZT α-Ray

Ampliación de imagen : Ciencia nuclear y detector de semiconductor de la punta de prueba CZT de la tecnología CZT α-Ray

Datos del producto:

Lugar de origen:	China
Nombre de la marca:	Kinheng
Certificación:	ISO

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima:	1pc
Precio:	Negotiable
Detalles de empaquetado:	caja de la espuma
Tiempo de entrega:	4-6 semanas
Condiciones de pago:	T/T, Paypal
Capacidad de la fuente:	10000pcs/year

Contacto

Ciencia nuclear y detector de semiconductor de la punta de prueba CZT de la tecnología CZT α-Ray

descripción

Nombre de producto:	Punta de prueba de CZT	Material:	CdZnTe
Poder:	0.3W	Fuente de alimentación:	±12V
Impedancia de salida:	50 Ω	Temperatura de funcionamiento:	-20℃~+40℃ ()/-20℃~+70℃ del estándar (modificado para requisitos particulares)
Alto voltaje:	DC +80V~+100V	Ventana:	φ25mm
Alta luz:	Punta de prueba nuclear de la ciencia CZT α-Ray , Detector de semiconductor de CZT , Punta de prueba de la tecnología nuclear CZT α-Ray

Ciencia nuclear y detector de semiconductor de la punta de prueba CZT de la tecnología CZT α-Ray

La punta de prueba de la serie PDT-01A1 es una ultra-pequeña punta de prueba de la partícula cargada del tamaño desarrollada sobre la base de un cristal plano del telururo del cinc del cadmio (CZT). Tiene una resolución de energía extremadamente alta a α-Ray en un ambiente del vacío. La dimensión del detector podía hacerse a medida.

Propiedades:

Poder	0.3W
Fuente de alimentación	±12V
Impedancia de salida	50 Ω
Temperatura de funcionamiento	-20℃~+40℃ ()/-20℃~+70℃ del estándar (modificado para requisitos particulares)
Alto voltaje	DC +80V~+100V
Ventana	φ25mm
Salida de la señal	señal del decaimiento exponencial, Tr<150ns
Interfaz del conector	cable del Cinco-corazón
Resolución de energía	<1>
Deriva máxima (8 horas)	<0>

Ventaja:

Funcionamiento de la temperatura ambiente

Resolución de alta energía

Respuesta rápida

Ambiente ligero visible

Usos:

Ciencia y tecnología nucleares

Detección del radón

Detección del aerosol

Espectro:

Ciencia nuclear y detector de semiconductor de la punta de prueba CZT de la tecnología CZT α-Ray 0

Compare con las PIPAS:

Ciencia nuclear y detector de semiconductor de la punta de prueba CZT de la tecnología CZT α-Ray 1

Tiros del producto:

Ciencia nuclear y detector de semiconductor de la punta de prueba CZT de la tecnología CZT α-Ray 2

FAQ:

1.Q: ¿Es usted fabricante de la fábrica?

: Sí, somos fabricante con 13 años de experiencia en la industria cristalina del scintillator y suministramos muchas marcas famosas buena calidad y servicio.

2.Q: ¿Dónde está su mercado principal?

: Europa, América, Asia.

etiqueta:

Persona de Contacto: Ivan. wang

Teléfono: 18964119345

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Cristal: CdZnTe CZT

Tipo de la conductividad: Tipo de P

Orientación: (211), (111)

Resistividad: >106Ω.Cm

Alto substrato infrarrojo solo Crystal Substrate del GaAs de la transmitencia

Opción dopada: Ningunos, Si, Cr, FE, Zn

Tamaños (milímetros): 10x10m m

Aspereza superficial: Aspereza superficial (Ra): <= 5A

Polaco: Lado simple o doble pulido (el estándar es el SSP)

Infrarrojo de la oblea de semiconductor de GE del substrato de GE e industria de IC

Método del crecimiento: Método de Czochralski

Estructura cristalina: M3

Constante de célula de unidad: a=5.65754 Å

Densidad (g/cm3): 5,323

Substrato termal excelente de la oblea del carburo de silicio de las propiedades mecánicas sic

Artículo: 2 N-tipo de la pulgada 4H

diámetro: 2inch (50.8m m)

Grueso: 350+/-25um

Orientación: del eje 4.0˚ hacia el ± 0.5˚ de <1120>

Sic eficacia fuerte de la velocidad rápida de la oblea de semiconductor pequeña gran rentable

Nombre de producto: Sic substrato, sic oblea de semiconductor

Nombre completo: Carburo de silicio Crystal Substrate

fórmula química: Sic

Grado 1: Grado de la producción

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