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Mho de Sapphire Crystal Wafer 9 del substrato de 0,5 milímetros 1,0 milímetro Al2O3

Certificación
China Kinheng Crystal Material (Shanghai) Co., Ltd. certificaciones
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Mho de Sapphire Crystal Wafer 9 del substrato de 0,5 milímetros 1,0 milímetro Al2O3

Mho de Sapphire Crystal Wafer 9 del substrato de 0,5 milímetros 1,0 milímetro Al2O3
Mho de Sapphire Crystal Wafer 9 del substrato de 0,5 milímetros 1,0 milímetro Al2O3

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Datos del producto:
Lugar de origen: China
Nombre de la marca: Kinheng
Certificación: ISO
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 1pc
Precio: Negotiable
Detalles de empaquetado: caja de la espuma
Tiempo de entrega: 4-6 semanas
Condiciones de pago: T/T, Paypal
Capacidad de la fuente: 10000pcs/year

Mho de Sapphire Crystal Wafer 9 del substrato de 0,5 milímetros 1,0 milímetro Al2O3

descripción
Nombre de producto: Al2O3 substrato, oblea de Sapphire Crystal fórmula química: Al2O3
Tamaño: 10x3, 10x5, 10x10, 15x15, 20x15, 20x20, Dia15, diámetro 20, diámetro 1" Grueso: 0,5 milímetros, 1,0 milímetros
Pulido: SSP o DSP Constante del enrejado: a=4.748Å c=12.97Å
Ángulo de cristalino: El tamaño y la orientación especiales están disponibles a pedido Ra: ≤5Å (los 5µm×5µm)
Alta luz:

1

,

0 milímetros Sapphire Crystal Wafer

,

9 substrato del Mho Al2O3

Oblea da alta temperatura de Sapphire Crystal del substrato de la resistencia y de la dureza Al2O3

 

El cristal de zafiro tiene buenas propiedades termales, propiedades eléctricas excelentes y propiedades dieléctricas, y la buena termoestabilidad, conductividad termal, permeabilidad infrarroja, estabilidad química, alta dureza, corrosión de la anti-sustancia química, zafiro, Al2O3 es ampliamente utilizada en defensa industrial, nacional y la investigación científica (tal como ventanas infrarrojas das alta temperatura, etc.). Es también un uso extenso en material monocristalino del substrato.

 

Propiedades:

 

 
Crystal Purity > 99,99%
Punto del derretimiento (℃) 2040
Densidad (g/cm3) 3,98
Dureza (Mho) 9
Extensión termal 7,5 (x10-6/Oc)
Calor específico 0,10 (caloría/Oc)
Conductividad termal 46,06 @ 0 Oc 25,12 @ 100 Oc, 12,56 @ 400 Oc (con (m.K))
Constante dieléctrica ~ 9,4 @300K en un eje ~ 11.58@ 300K en el eje de C
Tangente de la pérdida en 10 gigahertz < 2x10="">-5 en un eje, <5 x10="">-5 en el eje de C

 

 

Ventaja:

conducción 1.Heat
dureza 2.High
transmisión 3.Infrared
estabilidad química 4.Good

 

Tiros del producto:

 

Mho de Sapphire Crystal Wafer 9 del substrato de 0,5 milímetros 1,0 milímetro Al2O3 0

 

FAQ:

1.Q: ¿Es usted fabricante de la fábrica?

: Sí, somos fabricante con 13 años de experiencia en la industria cristalina del scintillator y suministramos muchas marcas famosas buena calidad y servicio.

 

2.Q: ¿Dónde está su mercado principal?

: Europa, América, Asia.

 

Contacto
Kinheng Crystal Material (Shanghai) Co., Ltd.

Persona de Contacto: Ivan. wang

Teléfono: 18964119345

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