Cristal:CdZnTe CZT
Tipo de la conductividad:Tipo de P
Orientación:(211), (111)
Opción dopada:Ningunos, Si, Cr, FE, Zn
Tamaños (milímetros):10x10m m
Aspereza superficial:Aspereza superficial (Ra): <= 5A
Método del crecimiento:Método de Czochralski
Estructura cristalina:M3
Constante de célula de unidad:a=5.65754 Å
Artículo:2 N-tipo de la pulgada 4H
diámetro:2inch (50.8m m)
Grueso:350+/-25um
Nombre de producto:Sic substrato, sic oblea de semiconductor
Nombre completo:Carburo de silicio Crystal Substrate
fórmula química:Sic
Estructura:R3m, romboédrico
enrejado:a0 ~ 4.024Å
Punto de fusión (℃):1280
Nombre de producto:Substrato del GaAs
Material:Cristal del arseniuro de galio
Garantía:un año
Nombre de producto:Oblea de semiconductor de CdTe
Nombre completo:Telururo de cadmio
fórmula química:CdTe
Nombre de producto:Oblea de semiconductor de GE
fórmula química:GE
Tamaño:10x3,10x5,10x10,15x15, 20x15,20x20, dia2” x 0.33m m dia2” x 0.43m m 15 x 15 milímetros
Nombre de producto:Sustrato monocristalino PMN-PT
fórmula química:Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3
Orientaciones de cristal:(001), (110), (111)
Nombre de producto:Punta de prueba de CZT
Material:CdZnTe
Densidad:5,8 g/cm3
Nombre de producto:Punta de prueba de CZT
Material:CdZnTe
Densidad:5,8 g/cm3
