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Alto substrato infrarrojo solo Crystal Substrate del GaAs de la transmitencia

Certificación
China Kinheng Crystal Material (Shanghai) Co., Ltd. certificaciones
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Alto substrato infrarrojo solo Crystal Substrate del GaAs de la transmitencia

Alto substrato infrarrojo solo Crystal Substrate del GaAs de la transmitencia
Alto substrato infrarrojo solo Crystal Substrate del GaAs de la transmitencia

Ampliación de imagen :  Alto substrato infrarrojo solo Crystal Substrate del GaAs de la transmitencia

Datos del producto:
Lugar de origen: China
Nombre de la marca: Kinheng
Certificación: ISO
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 1pc
Precio: Negotiable
Detalles de empaquetado: caja de la espuma
Tiempo de entrega: 4-6 semanas
Condiciones de pago: T/T, Paypal
Capacidad de la fuente: 10000pcs/year

Alto substrato infrarrojo solo Crystal Substrate del GaAs de la transmitencia

descripción
Opción dopada: Ningunos, Si, Cr, FE, Zn Tamaños (milímetros): 10x10m m
Aspereza superficial: Aspereza superficial (Ra): <= 5A Polaco: Lado simple o doble pulido (el estándar es el SSP)
Garantía: un año Código del HS: 3818009000
fuerza: Alta transmitencia infrarroja Uso: Optoelectrónica y microelectrónica
Alta luz:

substrato de 10x10m m GaAs

,

Sola optoelectrónica cristalina del substrato

,

Microelectrónica del substrato del GaAs

Solo substrato cristalino del alto de la transmitencia substrato infrarrojo del GaAs

 

El arseniuro de galio (GaAs) es un semiconductor compuesto importante y maduroⅤ de grupo III-, él es ampliamente utilizado en el campo de la optoelectrónica y de la microelectrónica. El GaAs se divide principalmente en dos categorías: GaAs y N-tipo semiaislantes GaAs. El GaAs semiaislante se utiliza principalmente para hacer los circuitos integrados con las estructuras de MESFET, del HEMT y de HBT, que se utilizan en radar, las comunicaciones de onda de la microonda y de milímetro, los ordenadores de la ultra-alto-velocidad y las comunicaciones de fibra óptica. El N-tipo GaAs se utiliza principalmente en LD, LED, cerca de los lasers infrarrojos, de los lasers de alta potencia del quántum bien y de las células solares de gran eficacia.

Propiedades:

 

Cristal Dopado Tipo de la conducción Concentración de los flujos cm-3 Cm2s de la densidad Método del crecimiento
Max Size
GaAs Ninguno Si / <5> LEC
HB
Dia3 ″
Si N >5×1017
Cr Si /
FE N ~2×1018
Zn P >5×1017

 

Ventaja:

suavidad 1.High
el hacer juego de enrejado 2.High (MCT)
densidad de dislocación 3.Low
transmitencia infrarroja 4.High

 

Tiros del producto:

 

Alto substrato infrarrojo solo Crystal Substrate del GaAs de la transmitencia 0

 

FAQ:

1.Q: ¿Es usted fabricante de la fábrica?

: Sí, somos fabricante con 13 años de experiencia en la industria cristalina del scintillator y suministramos muchas marcas famosas buena calidad y servicio.

 

2.Q: ¿Dónde está su mercado principal?

: Europa, América, Asia.

Contacto
Kinheng Crystal Material (Shanghai) Co., Ltd.

Persona de Contacto: Ivan. wang

Teléfono: 18964119345

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