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Datos del producto:
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| Opción dopada: | Ningunos, Si, Cr, FE, Zn | Tamaños (milímetros): | 10x10m m |
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| Aspereza superficial: | Aspereza superficial (Ra): <= 5A | Polaco: | Lado simple o doble pulido (el estándar es el SSP) |
| Garantía: | un año | Código del HS: | 3818009000 |
| fuerza: | Alta transmitencia infrarroja | Uso: | Optoelectrónica y microelectrónica |
| Resaltar: | substrato de 10x10m m GaAs,Sola optoelectrónica cristalina del substrato,Microelectrónica del substrato del GaAs |
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Solo substrato cristalino del alto de la transmitencia substrato infrarrojo del GaAs
El arseniuro de galio (GaAs) es un semiconductor compuesto importante y maduroⅤ de grupo III-, él es ampliamente utilizado en el campo de la optoelectrónica y de la microelectrónica. El GaAs se divide principalmente en dos categorías: GaAs y N-tipo semiaislantes GaAs. El GaAs semiaislante se utiliza principalmente para hacer los circuitos integrados con las estructuras de MESFET, del HEMT y de HBT, que se utilizan en radar, las comunicaciones de onda de la microonda y de milímetro, los ordenadores de la ultra-alto-velocidad y las comunicaciones de fibra óptica. El N-tipo GaAs se utiliza principalmente en LD, LED, cerca de los lasers infrarrojos, de los lasers de alta potencia del quántum bien y de las células solares de gran eficacia.
Propiedades:
| Cristal | Dopado | Tipo de la conducción | Concentración de los flujos cm-3 | Cm2s de la densidad | Método del crecimiento Max Size |
| GaAs | Ninguno | Si | / | <5> | LEC HB Dia3 ″ |
| Si | N | >5×1017 | |||
| Cr | Si | / | |||
| FE | N | ~2×1018 | |||
| Zn | P | >5×1017 |
Ventaja:
suavidad 1.High
el hacer juego de enrejado 2.High (MCT)
densidad de dislocación 3.Low
transmitencia infrarroja 4.High
Tiros del producto:
FAQ:
1.Q: ¿Es usted fabricante de la fábrica?
: Sí, somos fabricante con 13 años de experiencia en la industria cristalina del scintillator y suministramos muchas marcas famosas buena calidad y servicio.
2.Q: ¿Dónde está su mercado principal?
: Europa, América, Asia.
Persona de Contacto: Mr. Ivan. wang
Teléfono: 18964119345
Fax: 86-021-63063530
