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Substrato termal excelente de la oblea del carburo de silicio de las propiedades mecánicas sic

Certificación
China Kinheng Crystal Material (Shanghai) Co., Ltd. certificaciones
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Substrato termal excelente de la oblea del carburo de silicio de las propiedades mecánicas sic

Substrato termal excelente de la oblea del carburo de silicio de las propiedades mecánicas sic
Substrato termal excelente de la oblea del carburo de silicio de las propiedades mecánicas sic

Ampliación de imagen :  Substrato termal excelente de la oblea del carburo de silicio de las propiedades mecánicas sic

Datos del producto:
Lugar de origen: China
Nombre de la marca: Kinheng
Certificación: ISO
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 1pc
Precio: Negotiable
Detalles de empaquetado: caja de la espuma
Tiempo de entrega: 4-6 semanas
Condiciones de pago: T/T, Paypal
Capacidad de la fuente: 10000pcs/year

Substrato termal excelente de la oblea del carburo de silicio de las propiedades mecánicas sic

descripción
Artículo: 2 N-tipo de la pulgada 4H diámetro: 2inch (50.8m m)
Grueso: 350+/-25um Orientación: del eje 4.0˚ hacia el ± 0.5˚ de <1120>
Orientación plana primaria: <1-100> ± 5° Orientación plana secundaria: 90.0˚ CW del ± plano primario 5.0˚, Si cara arriba
Longitud plana primaria: 16 ± 2,0 Longitud plana secundaria: 8 ± 2,0
Alta luz:

oblea del carburo de silicio de 2 pulgadas

,

substrato de 2 pulgadas sic

,

oblea del carburo de silicio de 50.8m m

Oblea de semiconductor termal excelente del substrato de las propiedades mecánicas sic sic

 

El carburo de silicio (sic) es un compuesto binario del grupo IV-IV, él es el único compuesto sólido estable en grupo IV de la tabla periódica, él es un semiconductor importante. Sic tiene propiedades termales, mecánicas, químicas y eléctricas excelentes, que lo hacen para ser la que está de los mejores materiales para hacer los dispositivos electrónicos des alta temperatura, de alta frecuencia, y de alta potencia, sic también puede ser utilizado como material del substrato para los diodos electroluminosos azules GaN-basados. Actualmente, 4H-SiC es los productos de la corriente principal en el mercado, y el tipo de la conductividad se divide en tipo semiaislante y tipo de N.

 

Propiedades:

 

Artículo 2 N-tipo de la pulgada 4H
Diámetro 2inch (50.8m m)
Grueso 350+/-25um
Orientación del eje 4.0˚ hacia <1120> el ± 0.5˚
Orientación plana primaria <1-100> ± 5°
Plano secundario
Orientación
90.0˚ CW del ± plano primario 5.0˚, Si cara arriba
Longitud plana primaria 16 ± 2,0
Longitud plana secundaria 8 ± 2,0
Grado Grado de la producción (p) Grado de la investigación (r) Grado simulado (d)
Resistencia 0.015~0.028 Ω·cm < 0=""> < 0="">
Densidad de Micropipe ² del ≤ 1 micropipes/cm ² del ≤ 1 0micropipes/cm ² del ≤ 30 micropipes/cm
Aspereza superficial Ra del CMP de la cara del Si <0> Área N/A, usable el > 75%
TTV < 8="" um=""> < 10um=""> < 15="" um="">
Arco <> <> <>
Deformación < 15="" um=""> < 20="" um=""> < 25="" um="">
Grietas Ninguno ≤ acumulativo de la longitud 3 milímetros
en el borde
Longitud acumulativa ≤10mm,
solo
≤ 2m m de la longitud
Rasguños rasguños del ≤ 3, acumulativos
longitud < 1="">
rasguños del ≤ 5, acumulativos
longitud < 2="">
rasguños del ≤ 10, acumulativos
longitud < 5="">
Placas del hex. placas del máximo 6,
<100um>
placas del máximo 12,
<300um>
Área N/A, usable el > 75%
Áreas de Polytype Ninguno ≤ acumulativo el 5% del área ≤ acumulativo el 10% del área
Contaminación Ninguno

 

Ventaja:

suavidad 1.High
el hacer juego de enrejado 2.High (MCT)
densidad de dislocación 3.Low
transmitencia infrarroja 4.High

 

Tiros del producto:

 

Substrato termal excelente de la oblea del carburo de silicio de las propiedades mecánicas sic 0

 

FAQ:

1.Q: ¿Es usted fabricante de la fábrica?

: Sí, somos fabricante con 13 años de experiencia en la industria cristalina del scintillator y suministramos muchas marcas famosas buena calidad y servicio.

 

2.Q: ¿Dónde está su mercado principal?

: Europa, América, Asia.

 

 

 

 

Contacto
Kinheng Crystal Material (Shanghai) Co., Ltd.

Persona de Contacto: Ivan. wang

Teléfono: 18964119345

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