Ambiente del Anti-terrorismo que supervisa el detector de semiconductor de la punta de prueba CZT de CZT

Name: Ambiente del Anti-terrorismo que supervisa el detector de semiconductor de la punta de prueba CZT de CZT
Brand: Kinheng
SKU: Kinheng
Price: 1.00 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (114 reviews)

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Certificación

China Kinheng Crystal Material (Shanghai) Co., Ltd. certificaciones

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Ambiente del Anti-terrorismo que supervisa el detector de semiconductor de la punta de prueba CZT de CZT

Ampliación de imagen : Ambiente del Anti-terrorismo que supervisa el detector de semiconductor de la punta de prueba CZT de CZT

Datos del producto:

Lugar de origen:	China
Nombre de la marca:	Kinheng
Certificación:	ISO

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima:	1pc
Precio:	Negotiable
Detalles de empaquetado:	caja de la espuma
Tiempo de entrega:	4-6 semanas
Condiciones de pago:	T/T, Paypal
Capacidad de la fuente:	10000pcs/year

Contacto

Ambiente del Anti-terrorismo que supervisa el detector de semiconductor de la punta de prueba CZT de CZT

descripción

Nombre de producto:	Punta de prueba de CZT	Material:	CdZnTe
Crystal Type:	5x5x2.5mm3 o 10×10×5mm3 detector de la asimetría CZT	Gama de la energía:	10keV (ventana) del berilio ~2.6MeV
Resolución de energía:	<2>	Temperatura de funcionamiento:	0℃~+40℃ ()/-20℃~+40℃ del estándar (modificado para requisitos particulares)
Salida de la señal:	Señal del decaimiento exponencial, Tr < 150ns	Interfaz:	los Cinco-pernos tapan
Alta luz:	Punta de prueba de la supervisión CZT , Detector de semiconductor de CdZnTe , Punta de prueba del Anti-terrorismo CZT

ambiente del Anti-terrorismo que supervisa el detector de semiconductor de la punta de prueba CZT de CZT

Los detectores de la serie DT-01C1 son ultra-pequeñas puntas de prueba del espectro de energía del tamaño desarrolladas sobre la base de cristales hemisféricos de CZT. Tienen la radiografía y funciones de detección de poca energía del espectro de energía del rayo gamma y tener resolución de energía extremadamente alta. La dimensión del detector podía hacerse a medida.

Propiedades:

Poder	0.3W
Fuente de alimentación	±12V
Impedancia de salida	50 Ω
Temperatura de funcionamiento	0℃~+40℃ ()/-20℃~+40℃ del estándar (modificado para requisitos particulares)
Alto voltaje	Detector de DC +800 ^{@5×5×2.5mm3} CZT Detector de DC +900 ^{@10×10×5mm3} CZT
Crystal Type	5x5x2.5mm3 o 10×10×5mm3 detector de la asimetría CZT
Salida de la señal	Señal del decaimiento exponencial, Tr < 150ns="">
Interfaz	los Cinco-pernos tapan
Gama de la energía	10keV (ventana) del berilio ~2.6MeV
Resolución de energía	<2>
Pico a Compton Ratio	>4,0
INL (ausencia de linealidad integral)	10keV~1.3MeV	<0>
	10keV~2.6MeV	<1>
Deriva máxima	0℃~+40℃	<0>
Deriva máxima debajo de 8h	<0>
Dimensión	Φ30.5×73mm3
Peso	55g

Ventaja:

Portátil y fácil de usar

Funcionamiento de la temperatura ambiente

Resolución de alta energía

Respuesta rápida

Estabilidad de largo tiempo

Usos:

Seguridad de patria

Anti-terrorismo

Detección del espectro de energía

Ciencia y tecnología nucleares

Detección del defecto

Detección de la seguridad alimentaria

Supervisión del ambiente

Diagnóstico médico

Espectro:

Ambiente del Anti-terrorismo que supervisa el detector de semiconductor de la punta de prueba CZT de CZT 0

Ambiente del Anti-terrorismo que supervisa el detector de semiconductor de la punta de prueba CZT de CZT 1

Tiros del producto:

Ambiente del Anti-terrorismo que supervisa el detector de semiconductor de la punta de prueba CZT de CZT 2

FAQ:

1.Q: ¿Es usted fabricante de la fábrica?

: Sí, somos fabricante con 13 años de experiencia en la industria cristalina del scintillator y suministramos muchas marcas famosas buena calidad y servicio.

2.Q: ¿Dónde está su mercado principal?

: Europa, América, Asia.

etiqueta:

Persona de Contacto: Ivan. wang

Teléfono: 18964119345

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Radiografía de la oblea de semiconductor de CZT y modulación óptica del laser del detector del rayo gamma

Cristal: CdZnTe CZT

Tipo de la conductividad: Tipo de P

Orientación: (211), (111)

Resistividad: >106Ω.Cm

Alto substrato infrarrojo solo Crystal Substrate del GaAs de la transmitencia

Opción dopada: Ningunos, Si, Cr, FE, Zn

Tamaños (milímetros): 10x10m m

Aspereza superficial: Aspereza superficial (Ra): <= 5A

Polaco: Lado simple o doble pulido (el estándar es el SSP)

Infrarrojo de la oblea de semiconductor de GE del substrato de GE e industria de IC

Método del crecimiento: Método de Czochralski

Estructura cristalina: M3

Constante de célula de unidad: a=5.65754 Å

Densidad (g/cm3): 5,323

Substrato termal excelente de la oblea del carburo de silicio de las propiedades mecánicas sic

Artículo: 2 N-tipo de la pulgada 4H

diámetro: 2inch (50.8m m)

Grueso: 350+/-25um

Orientación: del eje 4.0˚ hacia el ± 0.5˚ de <1120>

Sic eficacia fuerte de la velocidad rápida de la oblea de semiconductor pequeña gran rentable

Nombre de producto: Sic substrato, sic oblea de semiconductor

Nombre completo: Carburo de silicio Crystal Substrate

fórmula química: Sic

Grado 1: Grado de la producción

Ambiente del Anti-terrorismo que supervisa el detector de semiconductor de la punta de prueba CZT de CZT

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