Punta de prueba de la oblea de semiconductor de la detección del radón y del aerosol CZT α-Ray

Name: Punta de prueba de la oblea de semiconductor de la detección del radón y del aerosol CZT α-Ray
Brand: Kinheng
SKU: Kinheng
Price: 1.00 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (145 reviews)

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Certificación

China Kinheng Crystal Material (Shanghai) Co., Ltd. certificaciones

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Punta de prueba de la oblea de semiconductor de la detección del radón y del aerosol CZT α-Ray

Ampliación de imagen : Punta de prueba de la oblea de semiconductor de la detección del radón y del aerosol CZT α-Ray

Datos del producto:

Lugar de origen:	China
Nombre de la marca:	Kinheng
Certificación:	ISO

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima:	1pc
Precio:	Negotiable
Detalles de empaquetado:	caja de la espuma
Tiempo de entrega:	4-6 semanas
Condiciones de pago:	T/T, Paypal
Capacidad de la fuente:	10000pcs/year

Contacto

Punta de prueba de la oblea de semiconductor de la detección del radón y del aerosol CZT α-Ray

descripción

Nombre de producto:	Punta de prueba de CZT	Material:	CdZnTe
Temperatura de funcionamiento:	-20℃~+40℃ ()/-20℃~+70℃ del estándar (modificado para requisitos particulares)	Alto voltaje:	DC +80V~+100V
Ventana:	φ25mm	Salida de la señal:	Señal del decaimiento exponencial, Tr<150ns
Interfaz del conector:	cable del Cinco-corazón	Poder fuente de alimentación 0.3W impedancia de salida de ±12V Temperatura de funcionamiento de 50 Ω:	<1>
Deriva máxima (8 horas):	<0>
Alta luz:	Oblea de semiconductor de la detección del aerosol , Detector de semiconductor de CZT , Oblea de semiconductor de la detección del radón

Detector de semiconductor de la punta de prueba CZT de la detección CZT α-Ray del radón y del aerosol

El PDT-01A1 integra el cristal de CZT y un circuito carga-sensible de poco ruido del preamplificador. Las partículas alfa del incidente se convierten en señales exponencial atenuadas de la amplitud de la respuesta, y directamente de la entrada en el sistema de varios canales de la adquisición del espectro de energía a través del cable del cinco-corazón, de la fuente de tensión y del amplificador equipados del espectrómetro.

Propiedades:

Poder	0.3W
Fuente de alimentación	±12V
Impedancia de salida	50 Ω
Temperatura de funcionamiento	-20℃~+40℃ ()/-20℃~+70℃ del estándar (modificado para requisitos particulares)
Alto voltaje	DC +80V~+100V
Ventana	φ25mm
Salida de la señal	Señal del decaimiento exponencial, Tr<150ns
Interfaz del conector	cable del Cinco-corazón
Resolución de energía	<1>
Deriva máxima (8 horas)	<0>

Ventaja:

Funcionamiento de la temperatura ambiente

Resolución de alta energía

Respuesta rápida

Ambiente ligero visible

Usos:

Ciencia y tecnología nucleares

Detección del radón

Detección del aerosol

Espectro:

Punta de prueba de la oblea de semiconductor de la detección del radón y del aerosol CZT α-Ray 0

Compare con las PIPAS:

Punta de prueba de la oblea de semiconductor de la detección del radón y del aerosol CZT α-Ray 1

Tiros del producto:

Punta de prueba de la oblea de semiconductor de la detección del radón y del aerosol CZT α-Ray 2

FAQ:

1.Q: ¿Es usted fabricante de la fábrica?

: Sí, somos fabricante con 13 años de experiencia en la industria cristalina del scintillator y suministramos muchas marcas famosas buena calidad y servicio.

2.Q: ¿Dónde está su mercado principal?

: Europa, América, Asia.

etiqueta:

Persona de Contacto: Ivan. wang

Teléfono: 18964119345

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Radiografía de la oblea de semiconductor de CZT y modulación óptica del laser del detector del rayo gamma

Cristal: CdZnTe CZT

Tipo de la conductividad: Tipo de P

Orientación: (211), (111)

Resistividad: >106Ω.Cm

Alto substrato infrarrojo solo Crystal Substrate del GaAs de la transmitencia

Opción dopada: Ningunos, Si, Cr, FE, Zn

Tamaños (milímetros): 10x10m m

Aspereza superficial: Aspereza superficial (Ra): <= 5A

Polaco: Lado simple o doble pulido (el estándar es el SSP)

Infrarrojo de la oblea de semiconductor de GE del substrato de GE e industria de IC

Método del crecimiento: Método de Czochralski

Estructura cristalina: M3

Constante de célula de unidad: a=5.65754 Å

Densidad (g/cm3): 5,323

Substrato termal excelente de la oblea del carburo de silicio de las propiedades mecánicas sic

Artículo: 2 N-tipo de la pulgada 4H

diámetro: 2inch (50.8m m)

Grueso: 350+/-25um

Orientación: del eje 4.0˚ hacia el ± 0.5˚ de <1120>

Sic eficacia fuerte de la velocidad rápida de la oblea de semiconductor pequeña gran rentable

Nombre de producto: Sic substrato, sic oblea de semiconductor

Nombre completo: Carburo de silicio Crystal Substrate

fórmula química: Sic

Grado 1: Grado de la producción

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