Alto substrato solo Crystal Substrate el hacer juego de enrejado MCT GaAs

Name: Alto substrato solo Crystal Substrate el hacer juego de enrejado MCT GaAs
Brand: Kinheng
SKU: Kinheng
Price: 1.00 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (181 reviews)

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Certificación

China Kinheng Crystal Material (Shanghai) Co., Ltd. certificaciones

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Alto substrato solo Crystal Substrate el hacer juego de enrejado MCT GaAs

Ampliación de imagen : Alto substrato solo Crystal Substrate el hacer juego de enrejado MCT GaAs

Datos del producto:

Lugar de origen:	China
Nombre de la marca:	Kinheng
Certificación:	ISO

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima:	1pc
Precio:	Negotiable
Detalles de empaquetado:	caja de la espuma
Tiempo de entrega:	4-6 semanas
Condiciones de pago:	T/T, Paypal
Capacidad de la fuente:	10000pcs/year

Contacto

Alto substrato solo Crystal Substrate el hacer juego de enrejado MCT GaAs

descripción

Nombre de producto:	Substrato del GaAs	Material:	Cristal del arseniuro de galio
Garantía:	un año	Código del HS:	3818009000
Ventaja:	El alto hacer juego de enrejado MCT	Uso:	Optoelectrónica y microelectrónica
Método del crecimiento:	HB DE LEC	Max Size:	Diámetro 3"
Alta luz:	Substrato de MCT GaAs , Cristal del arseniuro de galio de Kinheng , Alto substrato el hacer juego de enrejado GaAs

Solo substrato cristalino del alto de enrejado substrato el hacer juego (MCT) GaAs

Éntrenos en contacto con por favor para las opciones para los substratos cristalinos y las obleas del GaAs, tales como doping, tamaño, superficie que pule, y otros parámetros del producto.

Propiedades:

Cristal	Dopado	Tipo de la conducción	Concentración de los flujos cm-3	Cm2s de la densidad	Método del crecimiento Max Size
GaAs	Ninguno	Si	/	<5>	LEC HB Dia3 ″
	Si	N	>5×1017
	Cr	Si	/
	FE	N	~2×1018
	Zn	P	>5×1017

Ventaja:

suavidad 1.High
el hacer juego de enrejado 2.High (MCT)
densidad de dislocación 3.Low
transmitencia infrarroja 4.High

Tiros del producto:

Alto substrato solo Crystal Substrate el hacer juego de enrejado MCT GaAs 0

FAQ:

1.Q: ¿Es usted fabricante de la fábrica?

: Sí, somos fabricante con 13 años de experiencia en la industria cristalina del scintillator y suministramos muchas marcas famosas buena calidad y servicio.

2.Q: ¿Dónde está su mercado principal?

: Europa, América, Asia.

etiqueta:

Persona de Contacto: Ivan. wang

Teléfono: 18964119345

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Orientación: (211), (111)

Resistividad: >106Ω.Cm

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Opción dopada: Ningunos, Si, Cr, FE, Zn

Tamaños (milímetros): 10x10m m

Aspereza superficial: Aspereza superficial (Ra): <= 5A

Polaco: Lado simple o doble pulido (el estándar es el SSP)

Infrarrojo de la oblea de semiconductor de GE del substrato de GE e industria de IC

Método del crecimiento: Método de Czochralski

Estructura cristalina: M3

Constante de célula de unidad: a=5.65754 Å

Densidad (g/cm3): 5,323

Substrato termal excelente de la oblea del carburo de silicio de las propiedades mecánicas sic

Artículo: 2 N-tipo de la pulgada 4H

diámetro: 2inch (50.8m m)

Grueso: 350+/-25um

Orientación: del eje 4.0˚ hacia el ± 0.5˚ de <1120>

Sic eficacia fuerte de la velocidad rápida de la oblea de semiconductor pequeña gran rentable

Nombre de producto: Sic substrato, sic oblea de semiconductor

Nombre completo: Carburo de silicio Crystal Substrate

fórmula química: Sic

Grado 1: Grado de la producción

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